MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG MOSFET MẮC CỰC NGUỒN CHUNG

                    E-MOSFET được hoạt động khi điện áp giữa cực cửa và cực nguồn UGS nhận giá trị dương (UGS >0), đối với D-MOSFET là UGS = 0.
                    Tuy vậy, dựa vào cấu trúc và tính chất vật lý của E-MOSFET xuất hiện điện áp giữa cực cửa và cực nguồn UGS  rất nhỏ, gọi là điện áp ngưỡng UTh , điện áp này xác định ngưỡng điện áp hoạt động của MOSFET và xuất hiện dòng điện máng ID. Hoặc hiểu theo một cách khác, MOSFET sẽ không làm việc nếu điện áp giữa cực cửa và cực nguồn bé hơn điện áp ngưỡng UTh.
                    Khi điện áp trên cực cửa UG càng lớn thì dòng điện cực máng ID (dòng điện IDS) càng lớn, do đó E-MOSFET thường được sử dụng trong mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng MOSFET.
                    Dưới đây là sơ đồ mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng MOSFET mắc cực nguồn chung.
                   Điện cực D được lấy từ nguồn 1 chiều +VDD thông qua điện trở RD , bộ phân áp R1 và R2 có nhiệm vụ cung cấp điện áp cho cực cửa G.
                   Khi chưa có tín hiệu vào, mạch làm việc ở chế độ tĩnh, trong mạch có các thành phần dòng điện, điện áp như sau:
 
UDS = UCC - ID.(RD + RS)
UGS = UG – US = UDD(R2/(R1 + R2)) - IDRS
 
                   Dòng điện ID chạy từ +UCC qua điện trở RD, qua cực D, cực S, qua điện trở RSvà thoát đất.
                   Khi chưa có tín hiệu vào mạch không có tín hiệu ra tải.
                   Khi có tín hiệu vào, xuất hiện tín hiệu ra trên tải, tín hiệu ra lúc này được khuếch đại lớn lên về mặt biên độ, ngược pha với tín hiệu vào.
                  Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng MOSFET có một số ưu điểm hơn so với mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT và JFET đó là mạch có khả năng khuếch đại có biên độ rất nhỏ, tín hiệu ra ít nhiễu, biên độ lớn và ít suy hao năng lượng. Hiện nay với sự phát triển đột phá của công nghệ CMOS, mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng MOSFET đang được sử dụng rộng rãi trong thực tế.
                  Bước 1:Quan sát mạch mô phỏng hiệu ứng đưa ra nhận xét về mối quan hệ về pha giữa tín hiệu ra và tín hiệu vào?
                  Bước 2:Dựa vào hiệu ứng mô phỏng hãy xác định chiều dòng điện ID trên sơ đồ mạch điện? Thiết lập biên độ của tín hiệu vào UV = 0V, quan sát tín hiệu ra và đưa ra nhận xét? Giải thích hiện tượng?
                  Bước 3: Tải về bài thực hành và mở bằng phần mềm Multisim. Click vào “Run” để bắt đầu chạy mô phỏng. Click vào Icon “XSC1” quan sát tín hiệu vào, tín hiệu ra bằng Oscilloscope.
                  Bước 4:Sử dụng nút “Measure” và chức năng các núm nút khác hãy xác định biên độ, chu kỳ, tần số tín hiệu vào và tín hiệu ra? Sử dụng Multimeter đo các điện áp UDS , UGS ? Đưa ra nhận xét?
                  Bước 5: Thay đổi biên độ tín hiệu vào và hoàn thiện bảng giá trị dưới đây: 
                  Bước 6:Dựa vào bảng giá trị ở bước 5, đưa ra nhận xét về khả năng khuếch đại của mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng MOSFET mắc S chung?
                  Bước 7: Khi thay đổi giá trị RD thì biên độ tín hiệu ra và tỷ số k ở bước 6 thay đổi như thế nào? Giải thích hiện tượng và đưa ra kết luận?
                                                                        I. KHẢO SÁT TRÊN SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ
                              Click Vào đây để bắt đầu thực hành                                        

II. KHẢO SÁT TRÊN THIẾT BỊ ẢO
                CLICK VÀO ĐÂY ĐỂ TẢI VỀ BÀI THỰC HÀNH